이번 사업은 과학기술정보통신부가 12대 국가전략기술을 지원하기 위해 추진하는 신규 프로젝트로, 반도체 소재 분야의 젊은 과학자들이 미래 소재를 발굴하고 개발할 수 있도록 지원하는 프로그램이다. 이를 통해 세계 최고 수준의 반도체 기술 확보를 목표로 하고 있다.
배 교수 연구팀은 이번 선정으로 최대 35억 원의 사업비를 지원받아 2027년 12월까지 ‘우주환경 극복을 위한 고성능 초고밴드갭 에너지 반도체 개발’ 과제를 수행하게 된다. 연구는 미국 미네소타대학교의 Gang Qiu 교수와 Bharat Jalan 교수 팀과의 협력을 통해 진행되며, 국내에서는 가천대 윤상문 교수, 서울시립대 김태완 교수, 홍익대 이기영 교수가 참여한다.
배학열 교수는 “이번 연구는 차세대 극한환경용 고내구성 반도체 소재 및 소자 개발의 글로벌 원천기술 확보를 목표로 한다”며 “해외 연구기관과의 협력을 통해 세계 최고 수준의 반도체 분야 인재 양성도 기대하고 있다”고 밝혔다.
